Category:

SK Hynix приступила к производству 128-слойной памяти 3D NAND TLC

Южнокорейская фирма SK Hynix сообщила о начале коммерческого выпуска   128-слойных чипов флэш-памяти 3D NAND TLC вместимостью 1 Тбит (128 ГБ).   Сама компания относит данные микросхемы к классу «4D NAND», что она   объясняет переносом периферийных цепей управления под сами ячейки   памяти. SK Hynix ожидает, что благодаря переходу с 96 на 128 слоёв   суммарная ёмкость микросхем, «нарезаемых» с одной кремниевой пластины,   увеличится на 40%.

128-слойные чипы 3D NAND TLC работают с напряжением 1,2 В и   характеризуются скоростью передачи информации в 1,4 Гбит/с. Их поставки   начнутся во второй половине этого года. По задумке SK Hynix, данные   микросхемы найдут применение в топовых смартфонах, ёмкость хранилища в   которых увеличивается с каждым годом, а также твердотельных накопителях   для всех сегментов рынка.

Например, в первой половине следующего года южнокорейская компания   намерена запустить массовое производство потребительских SSD объёмом 2   ТБ на базе контроллера собственной разработки. Кроме того, на 2020 год   запланирован релиз NVMe-накопителей для центров обработки данных   вместимостью 16 и 32 ТБ. Следующим этапом в развитии «4D NAND» от SK   Hynix станут 176-слойные микросхемы.

SK Hynix приступила к производству 128-слойной памяти 3D NAND TLC

Error

Anonymous comments are disabled in this journal

default userpic

Your reply will be screened

Your IP address will be recorded